『点击章节报错』

    光刻机的制造难度主要在于三大关键设备：光源、双工件台、光刻机镜头。

    而在光源方面，毫无疑问Z国的世界最强的那个，这个结论从激光武器Z国明显领先M国便能得出。

    一个小小的光刻机光源，完全难不倒Z国的科研人员。

    双工件台就不太容易了，据说ASML研发的基于磁悬浮平面电机的双工件台产品，其掩模台的运动控制精度做到了2纳米，大大提升了芯片加工的精度和效率。

    如此先进的双工件台，外国专家曾傲慢地说：“全世界没有第二家机构能做出来。”

    然而仅仅过去五年不到，Z国菁华大学的一个科研团队，研制的运动精度控制在2纳米左右的双工件台，成功通过了整机验收。

    关键技术指标达到了国际同类光刻机双工件台技术水平。

    双工件台也被Z国人攻克了。

    最后就是光刻机镜头，近些年光学镜头领域进步飞速，甚至有家民用卫星公司制造的光学卫星，分辨率就达到了1米、0.5米，地面的航母、军舰、车辆一览无余，甚至可以拍摄正在起飞的飞机，拍摄火箭发射画面，清晰度令人吃惊。

    民用光学卫星的表现已如此夸张，军用当然更不得了。

    这反映出的，是Z国在光学镜头领域的进步。

    光刻机镜头自然也难不倒Z国的科研人员。

    所以光源、双工件台、光刻机镜头这三大用于制造光刻机的核心设备，Z国全部掌握。

    这也正是ASML公司对Z国放开光刻机销售的原因……严厉的封锁，光刻机领域，只会导致Z国以更快的速度取得突破。

    兔子被逼急了，会要你的命。

    而Z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平，一方面是市场份额被人牢牢把控；其次走相同的技术路线，会不可避免地会侵犯到ASML的知识产权，引发专利官司。

    再加上一些关键设备的禁售。

    国产的光刻机发展始终不温不火。

    即便如此，为了绕开国外的专利壁垒，Z科院光电所另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——

    超分辨纳米光刻机。

    这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，用365纳米近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10~9纳米级别的芯片。

    而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

    制造成本只有ASML公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。

    技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。

    不过超分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。

    那就是曝光时间过长。

    尤其实在芯片领域，EUV光刻机曝光15秒便能完成的任务，超分辨光刻机需要十多天。

    更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，超分辨光刻则是拿一支笔，慢慢
本章未完，请点击下一页。(1/2)

『加入书签，方便阅读』