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隧道二极管的研究，却被刚愎自用的肖克利严词拒绝，此事也就不了了之。

    就在一年后，时任SONY研究员的RB物理学家江崎玲于奈，发表了一篇关于PN结负阻特性的论文，在这篇论文里，江崎玲于奈用自己制造的二极管证明了半导体隧道效应理论。

    而这篇论文的研究方向，实验布置，同诺伊斯规划的几乎一模一样。

    1973年，江崎玲于奈凭借这篇论文获得诺贝尔物理学奖，诺伊斯与巨大的荣誉失之交臂。

    牛人终究是牛人。

    创立仙童半导体后，诺伊斯扬名立万的机会再次降临。

    当时仙童制造硅晶体管的流程是这样的：

    将提纯的硅晶切割打磨成适用的硅片，经过扩散、照相、掩膜、蚀刻等一系列化学物理工序，在一块硅片上生成上百个微小的晶体管，然后依靠大量人力对硅片进行切割，用镊子来连接导线，最后封装成独立的晶体管元器件，如二极管，三极管等等。

    1959年1月，诺伊斯突然产生一个想法：“既然可以在一块硅片上制造这么多的晶体管，为何不把相关连线甚至电容和电阻都一起做上去呢？这样完全可以用一块硅片制造出整个电路来！”

    这就是诺伊斯关于“集成电路”的最初设想，此时身为仙童总裁的他，完全有权限利用公司资源去很快实现这种设想。

    然而，诺伊斯性格中致命的懒散习性发挥了作用，或许其中也有肖克利几年强势领导带来的负面影响，没有迫切的推动力，他绝不会急着去主动发明创造。

    于是，他只是在笔记本上记下这个想法后就将它束之高阁，

    直到两个月后，TI公布了一项震惊世界的成果，他们的工程师杰克·基尔比，成功地在一块锗片上集成了一个震荡电路，并已经提交专利申请。

    集成电路的发明权就这样落到基尔比头上。

    诺伊斯被炸懵了！

    事情急迫，终于推动他展开行动，仙童仅用了一个月就推出了基于硅片的集成电路，性能和可制造性远远优于TI的那种结构。

    自此，双方开始了旷日持久的专利权诉讼纠纷，法庭最终一分为二的判决间接承认了诺伊斯和基尔比同为集成电路的发明人。

    2000年，基尔比因为发明集成电路获得诺贝尔物理奖，可惜那时候，诺伊斯已经去世，而基尔比发表获奖感言时也谦虚地承认：

    “如果诺伊斯还在，他应该与我分享这份荣誉”。

    两次诺贝尔奖，都因为性格中根深蒂固的劣性而失之交臂，这就是诺伊斯的阿喀琉斯之踵。

    正是因为了解诺伊斯这种习性，张恒坚定认为，此时的诺伊斯绝不会真把微处理器当回事。

    就如同男孩子对待玩具，哪怕暂时不想玩也不愿意放手，抱着将来说不定会想要好好玩玩的想法。

    这次他来英特尔，A计划是拿下8008系列的专利，从而在萌芽状态就掐断英特尔的CPU之路。

    英特尔当然还可以另起炉灶，从其他路径再次发展CPU，他们完全拥有这个技术实力，可那样绕路的话，就注定会被大恒科技远远抛在后面。
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